四探針程控電動測試架/遠程電動檢測設備/程控電動測試架  型號：WS-KDDJ-2 

WS-KDDJ-2型 電動架是使用步進電機驅(qū)動，采用單板機可編程控制，操作方便，可隨意調(diào)節(jié)探頭的下降zui低點，上升zui高點固定，探頭在zui高zui低點的停留時間范圍廣（從 0-19秒）。硅片硅錠均可測量，普通硅錠測量高度為180mm（可按用戶要求加高），測試臺zui大直徑200mm，不能旋轉(zhuǎn)和移動。  
2、使用方法 
電機在電源開關(guān)接通和按停止按鈕后自動上升至zui高點，進入備用狀態(tài)。 
（1）自動： 按自動按鈕電機就按設定自動上升和下降。上升的zui高點是固定不變的，下降的zui低點可以隨意調(diào)節(jié)，在zui高和zui低點的停留時間是可調(diào)的。當電機進入自動狀態(tài)時按其他功能按鈕均無效，如需停止運行進行其它操作，按下停止按鈕1秒即可。 
（2）手動： 按一下手動按鈕電機就下降至當前設定的zui低點，再按一下就上升至zui高點。 
注：如需重新設定zui低點時，設定結(jié)束后先按停止按鈕再進行手動做。如在剛設定好zui低點后直接按手動按鈕探頭會下降到導軌的zui低點，（行程開關(guān)接通為止）可能會對被測試物品造成損壞。 
（3） 定位： 當需要重新修改探頭下降的zui低點時，設備必須在備用狀態(tài)下才可進行修改，修改前要先把以前的數(shù)據(jù)清除掉，按定位清0即可。之后按定位按鈕，每按一 下探頭就往下移動0.5mm，數(shù)據(jù)自動加1，zui大數(shù)據(jù)約為70-80，到達導軌的zui低點時行程開關(guān)接通數(shù)據(jù)自動回0，再按定位按鈕無效。探頭下降的zui低點 設定好后按停止按鈕1秒，就可以進行自動或手動操作。 
（4）定位清0：在需要重新設定探頭下降zui低點時使用，按下后清除原有數(shù)據(jù)源方便重新設定。 
（5） 上延時： 設定探頭在上升至zui高點時需要停留的時間，先按上延時按鈕功能窗口顯示UP，這時按        調(diào)整到需要時間。時間調(diào)節(jié)范圍從0-19 秒，每按一次數(shù)據(jù)自動+或-1（范圍為0-95），對應時間約為1≈0.2秒，時間設定好后再按上延時按鈕確定。 
（6）下延時： 設定探頭在 下降至zui低點時探頭需要在被測樣品上的停留時間，先按下延時按鈕功能窗口顯示d∩，這時按        調(diào)整到需要時間。時間調(diào)節(jié)范圍從0-19秒，每 按一次數(shù)據(jù)自動+或-1（范圍為0-95），對應時間約為1≈0.2秒，時間設定好后再按下延時按鈕確定。 
（7）   ：設定探頭在下降至zui低點或探頭在上升至zui高點時的停留時間，每按一次數(shù)據(jù)自動+1（范圍為0-95），大于95時自動回0，對應時間約為數(shù)據(jù)1≈0.2秒 
（8）   ：設定探頭在下降至zui低點或探頭在上升至zui高點時的停留時間，每按一次數(shù)據(jù)自動-1（范圍為0-95），小于0后自動跳到95，對應時間約為數(shù)據(jù)1≈0.2秒 

3、日常維護 
（1）在測試架的立柱上有一卡環(huán)，防止電動測試部件因操作失誤而跌落，保護探針頭和測試臺面?？筛鶕?jù)需要把卡環(huán)緊固在合適的位置。 
（2）測試臺可360度旋轉(zhuǎn)，通過靠近把手的內(nèi)六角螺絲調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)的松緊。 
（3）在設定探頭下降zui低點時，一般把砝碼頂起1-2mm即可，砝碼zui高可頂起約為8mm，頂起過高可能會卡住探頭引出線。 
（4）在電動架上的機械活動部分需定期加黃油，保證活動順暢。在探針頭上的兩條直線軸承上也需定期加少量潤滑油。 

4、主機技術(shù)能數(shù) 
（4）供電電源： 
     AC  220V±10%    50/60  Hz    功率：40W 
（5）使用環(huán)境： 
溫度：23±2℃   相對濕度：≤65% 
無較強的電場干擾，無強光直接照射 
（6）重量、體積： 
主機重量：30kg 
體積：300×400×400（單位：mm  長度×寬度×高度） 

紅寶石探針頭系列 紅寶石探測器 紅寶石探針頭 紅寶石探測儀（*） 型號：WS-KDT

一、特點
1、 使用幾何尺寸十分的紅寶石軸套，確保探針間距的恒定、準確。
2、 控制寶石內(nèi)孔與探針之間的縫隙不大于6μｍ，保證探針的小游移率。
3、 采用特制的S型懸臂式彈簧，使每根探針都具有獨立、準確的壓力。
4、 量具精度的硬質(zhì)合金探針，在寶石導孔內(nèi)穩(wěn)定運動，持久耐磨。
二、用途
1、 測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率，測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻。
2、 測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻。
三、探針間距
1、 直線四探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
2、 方形四探針…………… 1.00mm
3、 直線三探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
4、 兩探針    …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm
四、技術(shù)指標
1、 游移率   
                   B級…………… ＜0.5%
                   *……………＜0.3%
                   A*………… ＜0.2%
                   AA*…………＜0.1%
2、 間距偏差  
                   B級…………… ＜3%
                   *…………… ＜2%
                   A*…………  ＜2%
                   AA*………… ＜1%
3、 zui大針與導孔間隙：0.006mm
4、 探針材料：硬質(zhì)合金（主成份：進口碳化鎢）或高速鋼
5、 探針壓力      標準壓力：6—10N（4根針總壓力）
                        小壓力：1.2—5N（4根針總壓力）     
                        1牛頓（N）=101.97克
6、 針尖壓痕直徑：25—100μｍ、100—250μｍ（簿層）
7、 500V緣電阻：＞1000MΩ
 

公司名稱：北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司
聯(lián) 系 人：蘇
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:     2495283342
地    址：北京市通州區(qū)新華北街117號
網(wǎng)    站：www.5117sel.com