模擬靜電場描繪儀 型號：GVZ-4

主要技術(shù)參數(shù)：
1. GVZ-4型為箱體和電源分離式，單筆測試,內(nèi)置四種電極
（同心圓、平行導(dǎo)線、聚焦、劈尖形）。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導(dǎo)線。
3.同心圓和其他電極印有坐標(biāo)格規(guī)格為1mm. 
4.微晶導(dǎo)電層的均勻性，實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。
6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓，調(diào)節(jié)細(xì)度可達(dá)0.01V。
應(yīng)承受250g正負(fù)50g的力摩擦2萬次，膜層電阻阻值變化0.3%，對導(dǎo)電微晶無磨損。 

主要技術(shù)參數(shù)：
1. GVZ-4型為箱體和電源分離式，單筆測試,內(nèi)置四種電極
（同心圓、平行導(dǎo)線、聚焦、劈尖形）。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導(dǎo)線。
3.同心圓和其他電極印有坐標(biāo)格規(guī)格為1mm. 
4.微晶導(dǎo)電層的均勻性，實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。
6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓，調(diào)節(jié)細(xì)度可達(dá)0.01V。
應(yīng)承受250g正負(fù)50g的力摩擦2萬次，膜層電阻阻值變化0.3%，對導(dǎo)電微晶無磨損。