冰箱系統(tǒng)測水儀CD/USI-3

產(chǎn)品簡介：
    以干燥載氣將被測樣件內(nèi)的殘留水載入儀器內(nèi)的電解池進(jìn)行吸收和電解，通過所消耗的電量積分測知被測系統(tǒng)殘留水總量，并以mg為單位顯示。
    該儀器適用于測定電冰箱或空調(diào)蒸發(fā)器、冷凝器及其它封閉系統(tǒng)內(nèi)的殘留水總量，具有準(zhǔn)確、快速、操作方便等優(yōu)點(diǎn)，而且用戶可隨時(shí)很方便地用標(biāo)樣（一定量的蒸餾水）檢定儀器的可靠性。
    
主要技術(shù)指標(biāo)：
測量范圍：0～100mg  （必要時(shí)可擴(kuò)大）
冰箱系統(tǒng)測水儀CD/USI-3準(zhǔn)確度：不大于±3%  （含水量大于1mg時(shí)）
        或不大于±0.030mg  （含水量小于或等于1mg時(shí)）
工作條件：電源：交流220±22V, 50～60Hz   直流：10～45V（僅供干燥時(shí)選用）
          環(huán)境溫度：5～40℃
          載氣（鋼瓶氮?dú)猓汉浚?00μL/L
                          流量 70±20 mL/min
外型尺寸：360mm（W）×160mm（H）×340mm（D） 
輸出信號(hào)：0～10mV ，可選配RS232接口及軟件，以保存數(shù)據(jù)和打印報(bào)告。
重 量：約5kg

電測水位計(jì) 型號(hào)：DP68BS

DP68BS系列便攜式電測水位計(jì)適用于地質(zhì)、礦山、水文等部門的水文觀測孔、地質(zhì)鉆孔、水井、水庫大壩及江河湖海的直接測量zui后計(jì)算讀數(shù)之差得出zui后結(jié)果，以替代目前常用的測繩、測鐘、電線、萬用表等原始落后的簡易測水方法。
DP68BS系列便攜式電測水位計(jì)由測線、探頭、水位檢測器、卷線輪、支架、導(dǎo)電機(jī)構(gòu)、搖把、皮背包等組成，其主要特點(diǎn)是體積小、重量輕、價(jià)格便宜、攜帶方便。
測量方法：
技術(shù)特點(diǎn)：
① zui大測量深度：700m
② zui大測量誤差：≤±0.1%F.S（zui大±0.1
m/100m），達(dá)到ISO規(guī)定的三級(jí)水位計(jì)精度標(biāo)準(zhǔn)。
③ 探頭直徑：14mm，探頭敏感區(qū)域≤±5mm。
④ 重復(fù)測量精度：≤±10mm。
⑤ 測線技術(shù)條件：外徑2.0，7/0.25鍍鋅鋼芯，高密度聚乙烯緣，破斷拉≥25 kgf。
⑥ 水位檢測器靈敏度：外接大地電阻≥500KΩ。
⑦ 水位檢測器功耗：≤15mA。
⑧ 水位檢測器電源：6F22、9V疊層電池。
⑨ 使用環(huán)境：-20℃～+40℃，相對濕度85%。
外形尺寸（mm）:330x86x220
探頭:Φ14

雷達(dá)遙測水位計(jì) 遙測水位計(jì) 型號(hào)：XD2206-LD

雷達(dá)遙測水位計(jì)多用于淤積非常嚴(yán)重的引黃灌區(qū)渠道或河道的水位監(jiān)測。雷達(dá)遙測水位計(jì)為一體化水位遙測設(shè)備，安裝在渠道邊上的安裝桿上，由于雷達(dá)遙測水位計(jì)，利用電磁波作為傳輸介質(zhì)，因此測量精度不受溫度、潮濕、風(fēng)速的影響，是一款高精度、高可靠的水位測量設(shè)備。 
雷達(dá)遙測水位計(jì)特點(diǎn)： 
●雷達(dá)遙測水位計(jì)采用一體化結(jié)構(gòu)，用于多淤積渠道或河道的高精度、高穩(wěn)定、高可靠的水位測量； 
●設(shè)備構(gòu)成：將雷達(dá)水位計(jì)、智能電路、GPRS遠(yuǎn)程通訊電路、現(xiàn)地?zé)o線射頻電路、密封殼、太陽能電池板及充電控制電路、喇叭口雷達(dá)天線高度集成，一體化設(shè)計(jì)； 
●正常情況下，水位上報(bào)次數(shù)每天1-24次，可由上位軟件設(shè)定； 
●當(dāng)水位變化率過設(shè)定值時(shí)（即水位跳變），水位值立即上報(bào)，水位跳變值由上位軟件設(shè)定； 
●水位上限可預(yù)設(shè)，水位過此值， GPRS上報(bào)時(shí)間間隔可以任意由上位軟件設(shè)定； 
●用無線手操器在10米范圍內(nèi)，可進(jìn)行水位校準(zhǔn)； 
●通過GPRS無線網(wǎng)絡(luò)與遠(yuǎn)程上位計(jì)算機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。

 相關(guān)產(chǎn)品：水位監(jiān)測軟件 XD-2C00

產(chǎn)品名稱：氣固相流化床催化反應(yīng)實(shí)驗(yàn)裝置 產(chǎn)品型號(hào)：TH-CHLHC

氣固相流化床催化反應(yīng)實(shí)驗(yàn)裝置 型號(hào)：TH-CHLHC
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?nbsp;
1、了解流化床反應(yīng)器的工作原理及結(jié)構(gòu)。 
2、加氫、脫氫、氧化、烴化、芳構(gòu)化、氨化等有機(jī)催化反應(yīng)。 
主要配置： 
流化床反應(yīng)器、預(yù)熱器、計(jì)量泵、風(fēng)機(jī)、氣體轉(zhuǎn)子流量計(jì)、濕式氣體流量計(jì)、溫控儀表、壓力儀表、不銹鋼框架及控制屏。 
技術(shù)參數(shù)： 
1、不銹鋼反應(yīng)器：φ25×650mm。三段加熱，總功率：3KW，使用溫度：6000C。 
2、預(yù)熱器：φ10×250mm，加熱功率：1KW。 
3、催化劑裝載量：10-150ml。 
4、氣體轉(zhuǎn)子流量計(jì)量程：0.05-0.5L/min。 
5、風(fēng)機(jī)：采用HG-370W型空氣旋渦泵；功率：370W；風(fēng)壓：11.76kPa；風(fēng)量：48m3/h。 
6、泵的型號(hào)微型隔膜計(jì)量泵；功率：30W；流量：9L/h；沖程頻率：120/minute；吸程：2m。 
7、濕式氣體流量計(jì)：型號(hào)：LML-2，額定流量：0.5m3/h,容積：5L/轉(zhuǎn)，精度：±1%。 
8、冷凝器：φ40×400mm；氣液分離器：φ50×150mm。 
9、各項(xiàng)操作及壓力、流量的顯示、調(diào)節(jié)、控制全在控制屏板面進(jìn)行。 
10、框架為不銹鋼材質(zhì)，結(jié)構(gòu)緊湊，外形美觀，流程簡單、操作方便。 
11、外形尺寸：1600×600×1800mm。 
數(shù)據(jù)采集  配計(jì)算機(jī)、微機(jī)接口和數(shù)據(jù)處理軟件、溫度傳感器、溫度巡檢儀。能在線監(jiān)測溫度實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。

產(chǎn)品名稱：數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀/少子壽命測試儀 產(chǎn)品型號(hào)：DZ-LT-100C

數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 型號(hào)：ZD-LT-100C 
為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量，特按照國標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。                                                        
      該設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過數(shù)次全國十多個(gè)單位巡回測試的考驗(yàn)，證明是一種成熟可靠的測試方法，特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量；也可對硅片進(jìn)行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，制樣簡便。 

DZ-LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點(diǎn)： 
1、 可測量太陽能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光，直接對切割面或研磨面進(jìn)行測量。同時(shí)可測量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器、晶體管級(jí)硅單晶的少子壽命。 
2、  可測量太陽能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面無需拋光、鈍化。 
3、配備軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形，并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。 
4、配置兩種波長的紅外光源： 
a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。 
b、短波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測量低阻太陽能級(jí)硅晶體。 
5、測量范圍寬廣 
測試儀可直接測量： 
a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。 
b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。 
壽命可測范圍     0.25μS—10ms